چکیده: در این رساله ما به بررسی نظری خواص ترابری الکتریکی و الکترونیکی گاز الکترون دو بعدی در فصل مشترک ساختار‌های ناهمگون مختلف وابسته به مواد نیمرسانا‌های نیتروژن‌دار نظیر AlGaN/GaN، AlInN/GaN و ... پرداخته ایم. این محاسبات عمدتا مبتنی بر در‌نظر‌گیری توزیع فرمی- ‌دیراک و استفاده از قاعده ماتیسن در مطالعه تغییرات بیشینه تراکم الکترونی و تحرک گاز الکترون دو بعدی (2D) بر حسب دما می‌باشد. نتایج تحلیل‌های نظری ما حاکی از آن است که در ساختار‌های AlxGa1-xN/GaN: 1- با افزایش کسر مولی (x) آلومینیوم در لایه سد نه تنها به دلیل افزایش تراکم دررفتگی‌های بلوری تحرک گاز الکترون 2D در ماده کاهش می‌یابد، بلکه همچنین سبب افزایش تراکم این حامل‌ها در درون چاه شده و این خود به میدان الکتریکی داخلی بزرگتر و باریکتر شدن عرض چاه کوانتومی منجر می‌گردد. 2- در بررسی تاثیر نوع زیرلایه، دریافتیم که استفاده از سیلیکون کارباید (با ثابت شبکه‌ای نزدیکتر به GaN) به جای سفایر سبب کاهش نقایص بلوری در چاه و در نتیجه افزایش تحرک گاز الکترون 2D می‌شود. 3- مطالعه تاثیر ضخامت لایه سد نشان داد که با افزایش ضخامت لایه سد از یک حد بحرانی (در حدود nm 75-65) پیوند‌های فصل مشترک لایه‌های سد و چاه کوانتومی دچار واهلش می‌شود. این پدیده منجر به ایجاد تراکم دررفتگی‌های بلوری بیشتر و کاهش تحرک گاز الکترون دو بعدی می‌گردد. 4- در بررسی تاثیر حضور لایه جداکننده معلوم شد که رشد این لایه باعث کاهش تراکم دررفتگی‌های بلوری شده و منجر به افزایش تحرک الکترون 2D در چاه پتانسیل می‌شود.