{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "TK818",
        "title": "طراحی و شبیه‌سازی لیزر پلاسمونی پمپ شده توسط پیوند p-n ",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1398",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "TK818",
        "title": "طراحی و شبیه‌سازی لیزر پلاسمونی پمپ شده توسط پیوند p-n ",
        "degree": null,
        "faculty": "مهندسی برق",
        "year": 1398,
        "authors": [
            {
                "name": "علیه نوروزی",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "علی فتاح حصاری",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "پلاسمونیک",
            "لیزر پلاسمونیک",
            "تلفات",
            "ناحیه فعال",
            "پمپاژ الکتریکی",
            "پیوند p-n"
        ],
        "abstract": "لیزر پلاسمونیک موجب تولید و تقویت پلاسمون‌های سطحی می‌شود. طول موج پلاسمونیک کمتر از طول موج فتون‌ها است، بنابراین مزیت لیزر پلاسمونیک در مقایسه با لیزرهای فتونیکی غلبه بر محدودیت پراش و انتشار نور در ابعاد کوچکتر است. مشکل اصلی لیزرهای پلاسمونیک تلفات زیاد فلز است که موجب کاهش طول انتشار پلاسمون‌های سطحی می‌شود. برای حل این مشکل، از ناحیه فعال برای ایجاد بهره و غلبه بر تلفات استفاده می‌شود.\r\n در این ساختار از پیوند p-n برای ایجاد شرایط وارونگی جمعیت استفاده می‌شود. ناحیه فعال در وسط آن قرار می‌گیرد و به دلیل جنس متفاوت نیمه‌هادی n و p با ناحیه فعال، اتصال ناهمگون در دو طرف ناحیه فعال ایجاد می‌شود که سبب حبس حامل‌ها در وسط ساختار و افزایش فرایند بازترکیب می‌گردد. پمپاژ استفاده شده در این ساختار از نوع الکتریکی است به دلیل اینکه پمپاژ نوری نیاز به یک موجبر یا لیزر بزرگ دارد و بنابراین فضای بیشتری را اشغال می‌کند. برای دو لایه نیمه‌هادی پیوند p-n از   استفاده می‌شود و جنس نیمه‌هادی ناحیه فعال   است. پیوند p-n در بایاس مستقیم و در تماس با فلز پلاسمونیک طلا قرار می‌گیرد.\r\nطول موج فضای آزاد برابر با ۵۵/۱ میکرومتر در نظر گرفته می‌شود که یک طول موج کاربردی در مدارهای فتونیکی می‌باشد و متناسب با طول موج فتون‌های آزاد شده از فرایند بازترکیب در نیمه‌هادی   است. آیینه‌های دو طرف کاواک با درصد بازتابش ۱۰۰٪ و ۹۹٪ قرار می‌گیرند. ولتاژ بایاس اعمال شده بر ساختار برابر با ۲/۱ ولت است و ضریب جذب لیزر در این ولتاژ برابر با   می‌باشد بنابراین بهره نوری لیزر پلاسمونیک با طول کاواک ۵۰ نانومتر  برابر با   بدست می‌آید. توان مصرفی لیزر در ولتاژ اعمالی برابر با ۱۲۰۰ میکرووات می‌شود و توان خروجی لیزر حاصل از شبیه سازی ساختار در نرم افزار سیلواکو برابر با ۶۰۰ میکرو وات بدست می‌آید. بنابراین بازده لیزر برابر با ۵۰٪ می‌شود.",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_TK818.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}