{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "QC460",
        "title": " بررسی پایداری و ساختار الکترونی نانولوله های دو جداره گالیوم آرسناید با استفاده از نظریه تابعی چگالی",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1398",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "QC460",
        "title": " بررسی پایداری و ساختار الکترونی نانولوله های دو جداره گالیوم آرسناید با استفاده از نظریه تابعی چگالی",
        "degree": null,
        "faculty": "فيزیک",
        "year": 1398,
        "authors": [
            {
                "name": "صادق نیک بختیان",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "طیبه مولاروی",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "نانولوله‌های دوجداره GaAs",
            "نظریه تابعی چگالی با درنظرگرفتن نیروهای واندروالس (VDW-DFT)",
            "کد SIESTA",
            "گاف نواری",
            "پایداری",
            "انرژی تشکیل"
        ],
        "abstract": "نانولوله‌های گالیوم آرسنایدGaAs به دلیل دارا بودن ویژگی های خاص، نظیر تحرک بسیار زیاد الکترونی، مقاومت آن در برابر تابش و کارایی خوب آن در دماهای زیاد، کاربردهای گسترده‌ای در صنایع گوناگون دارند. در این پژوهش خواص ساختاری، الکترونی و پایداری نانولوله‌های دوجداره GaAs خالص و آلایش‌یافته با اتم Al، با استفاده از نظریه تابعی چگالی با درنظرگرفتن نیروهای واندروالس (VDW-DFT)، به روش شبه پتانسیل توسط کد محاسباتیSIESTA بررسی شده است. محاسبات روی نانولوله‌های دوجداره خالص دسته‌صندلی (۴,۴)@(n,n)با (۱۳-۷=n) و (n،n)@(۵،۵) با (۱۳-۸)=n و زیگزاگ (n,۰)@(۶،۰) با (۱۸-۱۱)=n و (n,۰)@(۷،۰) با (۱۸-۱۳=n) صورت گرفته است. نتایج حاصل از مطالعه پایداری نانولوله‌های دوجداره خالص نشان می‌دهد نانولوله‌های دوجداره GaAs خالص دسته‌صندلی با اختلاف کایرالیته ۵، (۵+n،n)@(n+۵،n) و فاصله درون‌جداری Å ۵/۴ و نانولوله‌های زیگزاگ با اختلاف کایرالیته ۸، (۰،n,۰)@(n+۸) و فاصله درون‌جداری Å ۴/۹ از لحاظ پایداری مناسب‌ترین ساختارها هستند. محاسبات ساختار نواری نشان می‌دهد تمام نانولوله‌های خالص دسته‌صندلی و زیگزاگ، نیمه‌رسانا می‌باشند. گاف نواری نانولوله‌های دوجداره GaAs، با افزایش قطر نانولوله‌ها روندی افزایشی دارد و در قطرهای بالاتر، روند تغییرات کندتر می‌شود. نانولوله‌های دوجداره (n،n)@(۴،۴) با (۱۳-۹=n) و (n،n)@(۵،۵) با (۱۵-۱۰=n) از نوع دسته‌صندلی و (n,۰)@(۶،۰) با (۱۸-۱۴=n) و (n,۰)@(۷،۰) با (۱۸-۱۵=n) از نوع زیگزاگ با اتم Al آلایش شدند، که پایدارترین نانولوله بعد از آلایش با اتم آلومینیوم در حالت دسته‌صندلی ساختار (۱۰،۱۰)@(۴،۴) و (۱۱،۱۱)@(۵،۵) با انرژی تشکیل در حدود ۰/۷۵- eV و اختلاف کایرالیته ۶ و در حالت زیگزاگ ساختار (۱۵،۰)@(۶،۰) با انرژی تشکیل در حدود ۰/۶۳eV-  و (۱۶،۰)@(۷،۰) با انرژی تشکیل در حدود۱/۴۱eV-  و اختلاف کایرالیته ۹ پایدارترین ساختار می‌باشد.",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_QC460.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}