{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "QC177",
        "title": "تشکیل خوشه های غنی از ایندیم در چاههای کوانتومی InGaN",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1386",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "QC177",
        "title": "تشکیل خوشه های غنی از ایندیم در چاههای کوانتومی InGaN",
        "degree": null,
        "faculty": "فيزیک",
        "year": 1386,
        "authors": [
            {
                "name": "حجت بهمدی",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "حمید هراتی زاده",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "فاقد کلید واژه"
        ],
        "abstract": "امروزه بدلیل کاربرد وسیع گاف نواری پهن نیمرساناهای نیتروژندار در قطعات الکترونیکی و اپتوالکترونیکی و قابلیت عملکرد در انرژی، دما و توان بالا، این ترکیبات مورد توجه زیادی قرار گرفته اند. بیشتر تحقیقات مربوط به نیمرساناهای نیتروژندار بر روی سه مکانیزم مهم متمرکزند:\r\n1.\tجدایی فاز ناشی از خوشه های ایندیمی در ناحیه فعال InGaN.\r\n2.\tمیدان پیزوالکتریک در InGaN که از عدم تطابق میان ثابت شبکه InGaN و زیرلایه GaN نتیجه میشود.\r\n3.\tمیدان قطبش خودبخودی ناشی از عدم تقارن در ساختار ورتزایت.\r\nتعیین اینکه کدامیک از این سه مکانیزم در بازترکیب تابشی و در نتیجه بازده نوری، غالب است از اهمیت بالایی برخوردار است.\r\nیک ویژگی مهم نیمرسانای InGaN تمایل شدید اتم های ایندیم به تجمع و تشکیل  خوشه های ایندیمی است. شبه نقاط کوانتومی که از خوشه های ایندیمی بوجود می آیند نقش مهمی در مکانیزم بازترکیب های نوری ایفا می کنند و بعنوان مراکز جایگزیدگی در گیراندازی اکسیتون شرکت می کنند. به دلیل رفتار مذکور در اتم های ایندیم هنوز مقدار دقیق گاف نواری InN بخوبی شناخته نشده است و گزارشات متعدد مقدار آنرا بین 7/0 تا eV1/2 بیان کرده اند.\r\nاز آنجا که InGaN در چاه های کوانتومی InGaN/GaN نقش ناحیه فعال (چاه) را بازی می کند، لذا درک مکانیزم های بازترکیب در آن از اهمیت ویژه ای برخوردار است.\r\nدر این پایان نامه بر آنیم تا با استفاده از تکنیک مشخصه یابی فتولومینسانس وابسته به دما و توان تحریک پی به ویژگی های چاه های کوانتومی InGaN ببریم. نمونه های مورد مطالعه در این پایان نامه چاه های کوانتومی چندگانه InGaN/GaN هستند که با روش MOCVD و بر روی زیرلایه سپفایر (Al2O3) رشد داده شده اند. هدف ما مطالعه رفتار اپتیکی InGaN و بررسی شرایط رشد مطلوب (با در نظر گرفتن تغییرات دما و فلوی ایندیم حین رشد) جهت استفاده در موارد کاربردهای اپتیکی مختلف می باشد.",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_QC177.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}