{
    "metadata": {
        "dataset_id": "shahroodut-thesis",
        "record_id": "QC127",
        "title": "رسانندگی گرمایی در مواد حالت جامد",
        "publisher": "دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "owner": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "license": "CC-BY-4.0",
        "license_url": "https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/",
        "license_text": "استفاده، بازنشر، تحلیل، پردازش و بهره برداری پژوهشی، آموزشی و صنعتی با ذکر منبع دانشگاه صنعتی شاهرود مجاز است.",
        "publication_date": "1391",
        "last_update": "2026-07-11",
        "language": "fa",
        "format": "application/json",
        "contact": "thesis@shahroodut.ac.ir",
        "access": {
            "fulltext_available": "true",
            "public_access": "true"
        }
    },
    "data": {
        "thesis_id": "QC127",
        "title": "رسانندگی گرمایی در مواد حالت جامد",
        "degree": null,
        "faculty": "فيزیک",
        "year": 1391,
        "authors": [
            {
                "name": "شکوفه زینلی راستابی",
                "role": "پدیدآور اصلی"
            },
            {
                "name": "حسین  عشقی",
                "role": "استاد راهنما"
            }
        ],
        "keywords": [
            "رسانندگی گرمایی",
            "GaN",
            "ZnO",
            "سازوکارهای پراکندگی فونون ها."
        ],
        "abstract": "هدف ما در این تحقیق مطالعه رسانندگی گرمایی نیمرساناهای GaN و ZnO بر حسب تابعی از دما است. این نیمرساناها که از گاف نواری مستقیم پهن برخوردارند، در دستگاه های الکترونیکی و اپتوالکترونیکی در شرایط توان بالا و دمای بالا بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. عوامل گوناگونی می توانند در بزرگی رسانندگی گرمایی یک ماده مؤثر باشند که برخی از آنها به خواص ذاتی ماده و برخی متأثر از عوامل غیر ذاتی نظیر دررفتگی ها و ناخالصی ها هستند. شناخت هر یک از این عوامل و میزان تاثیر گذاری آنها بر رسانندگی گرمایی ماده مورد نظر می تواند در نیل به قطعات ترموالکتریکی (دستگاه هایی که انرژی گرمایی را مستقیما به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند) با بازدهی بالا کمک نماید. \r\nما در این تحقیق نظری به مطالعه عوامل موثر پراکندگی فونون ها در نیمرسانای GaN در شرایط گوناگون شامل نمونه های کپه ای تک بلور، سرامیکی آمورف - بلوری و نانو سیم؛ و در نیمرسانای ZnO در شرایط سرامیکی خالص، و با آلایش های مختلف (نیکل و آلومینیوم) و سرانجام با ناخالصی دو گانه آلومینیوم و گالیوم پرداخته ایم. در تحلیل داده های تجربی از نظریه های وابسته به رسانندگی گرمایی جامدات با کمک گیری از روش انطباق پارامترهای قابل تغییر بر پایۀ کمینه سازی مجموع مربعات مقادیر تجربی و نظری استفاده شده است. \r\nداده های تجربی گزارش شده حاکی از آن است که در نیمرسانای GaN، در نمونه های متشکل از نانو سیم ها رسانندگی گرمایی تا حد زیادی پایین تر از نمونه های رشد یافته در شرایط کپه ای است. نتایج تحلیل ما حاکی از آن است که علت این موضوع عمدتا متأثر از افزایش تراکم های ناراستی های توسعه یافته و همچنین ناراستی های نقطه ای در نمونه های نانو سیم نسبت به نمونه های کپه ای می باشد.\r\nدر نمونه های نیمرسانای سرامیکی ZnO معلوم شد که حضور ناخالصی ها نقش به سزایی در کاهش رسانندگی گرمایی ماده داشته به طوری که در شرایط حضور ناخالصی دو گانه این امر بسیار چشمگیر تر می شود.",
        "repository": "کتابخانه مرکزی دانشگاه صنعتی شاهرود",
        "note": "حقوق مادی و معنوی متعلق به دانشگاه صنعتی شاهرود می باشد.",
        "download_url": "https://shahroodut.ac.ir/fa/thesis/files/somefiles/sf_QC127.pdf"
    },
    "dictionary": {
        "thesis_id": "شناسه پایان نامه",
        "title": "عنوان پایان نامه",
        "degree": "مقطع تحصیلی",
        "faculty": "دانشکده",
        "year": "سال دفاع",
        "authors": "پدیدآورندگان",
        "keywords": "کلیدواژه ها",
        "abstract": "چکیده",
        "repository": "محل نگهداری",
        "note": "یادداشت",
        "download_url": "آدرس فایل پایان نامه"
    }
}